開發(fā)商一手直租

出租面積段：177-294-396-510-1555-1.9萬平

租金價格：160元/平方

管理費：15元/平方

空調：24小時計流量（空調維護費2.4元）

停車月卡：400元

地鐵：南山區(qū)科技園南區(qū)（1號線高新園地鐵站C出口315米）

創(chuàng)維半導體設計大廈為深圳特區(qū)成立30周年產業(yè)項目之一，于2010年8月24日奠基，建設周期3年。大廈位于深圳市高新技術園南區(qū)核心區(qū)域，占地面積17025.5平方米，總建設面積124533.62平方米，計容建筑面積為84931.04平方米，建筑樓高99.8米，長171米；其中東、西座地上24層，地下3層；裙樓連接東、西兩座塔樓，地上5層，地下3層；辦公標準樓層柱距為8.4米。寫字樓大堂高10米，2-5樓標準層高4.5米， 6-24樓標準層高4米，荷載250KG，標準樓層約1628平方米，使用率70%-80%；商業(yè)1樓層高5.7米，2-5樓層高4.5米，荷載350KG。創(chuàng)維半導體設計大廈大廈外墻采用金屬鋁板、玻璃幕墻（采用中空玻璃、隔音、隔熱性能至佳）。停車位726個。

創(chuàng)維半導體設計大廈項目基礎信息：

項目位置：南山·南山科技園高新南四道18號

地鐵：1號線 高新園站C出口

導航地址：創(chuàng)維半導體設計大廈

開發(fā)商：創(chuàng)維開發(fā)商

項目占地面積：17025萬㎡

項目建筑面積：約124533.62萬㎡

標準層面積：1628㎡

辦公面積：約2.6萬㎡

高度：24層

標準層高：4.5m

在租面積：316–568㎡

使用率：70%

停車位：707個

電梯品牌及數(shù)量：6部日立電梯

停車費：400元/月

空調系統(tǒng)：24H

物業(yè)管理費：20.4元

交付標準：簡裝

交樓時間：現(xiàn)樓